ไทริสเตอร์ Thyrister

ไทริสเตอร์หรือที่เรียกว่า SCR โดยส่วนใหญ่จะนำมาใช้ในวงจรสวิตชิ่งหรืองานควบคุมกำลังไฟกระแสสลับนะครับ ในสภาวะหยุดทำงานไทริสเตอร์จะไม่มีกระแสไหลนะครับ แต่เมื่ออยู่ในสภาวะทำงานไทริสเตอร์จะมีความต้านทานต่ำ ทำให้มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้มากครับ จากข้อดีอันนี้ไทริสเตอร์จึงมีการสูญเสียกำลังน้อยมากในการนำไปใช้งาน ควบคุมแหล่งจ่ายกำลังไฟ เมื่อทำให้ไทริสเตอร์อยู่ในสภาวะนำไฟฟ้า ไทริสเตอร์จะนำไฟฟ้าอยู่จนกระทั่งกระแสที่ไหลผ่าน ตัวมันต่ำกว่ากระแสโฮลดิ้งครับ การนำไทริสเตอร์ไปใช้งานกับ แหล่งจ่ายไฟกระแสตรงนะครับจะต้องรีเซตทุกครั้งเมื่อ ต้องการให้ไทริสเตอร์หยุดนำกระแส โดยการทำให้ศักย์ไฟฟ้าขั้วแอโนดและแคโทดมีค่าเท่ากันหรือตัดแหล่งจ่ายไฟออกไป สำหรับการใช้งานกับแหล่งจ่ายไฟกระแสสลับไทริสเตอร์จะรีเซตตัวมันเองโดยอัตโนมัติ ถ้าจะให้ไทริสเตอร์นำไฟฟ้าทุก ๆ ไซเกิลก็จะต้องมีการทริกเกตทุก ๆ ไซเกิล สัญลักษณ์และรูปแบบตัวถังของไทริสเตอร์จะเป็นดังรูปที่1 นะครับ และการ จะทำให้ไทริสเตอร์นำไฟฟ้าได้นั้นจะต้องทริกเกตอย่างถูกต้อง โดยศักย์ไฟฟ้าที่เกตจะต้องเป็นบวกมากกว่า เมื่อเทียบกับ ขาแคโทด

ตัวเก็บประจุ

ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ก็บอกกันชัดๆ แล้วนะครับว่า สามารถปรับค่าความจุของตัวเก็บประจุได้ ด้วยการ หมุนแกนของตัวเก็บประจุ ค่าความจุก็จะเปลี่ยนไปตามมุมที่หมุนด้วย โดยมากที่พบเห็นกันบ่อยๆ เขาใช้ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้ ในวงจรเลือกคลื่นวิทยุทั่วๆ ไป ครับ

ตัวเก็บประจุแบบปรับค่าได้
ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่
google_protectAndRun("ads_core.google_render_ad", google_handleError, google_render_ad);
ตัวเก็บประจุแบบค่าคงที่ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน มีด้วยกันหลายชนิด แต่ในที่นี้ผมจะยกมากล่าวถึงเพียงสองชนิดเท่านั้น ครับ คือ ชนิดอิเล็กทรอไลติก และชนิดเซรามิก ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก โดยทั่วไปตัวเก็บประจุชนิดนี้มีลักษณะกลมๆ แบนๆ ดังในรูปที่ 6 ครับ บางครั้งอาจจะพบแบบสี่เหลี่ยมแบนๆ ส่วนใหญ่ตัวเก็บประจุชนิดนี้ จะมีค่าน้อยกว่า 1 ไมโครฟารัด และเป็นตัวเก็บประจุชนิดที่ไม่มีขั้ว (ไม่ต้องคำนึงเวลาใช้งาน) และสามารถทนแรงดันได้ประมาณ 50-100 โวลต์ ครับ

ตัวเก็บประจุชนิดเซรามิก

ค่าความจุของตัวเก็บประจุชนิดเซรามิกที่มีใช้กันในปัจจุบันอยู่ในช่วง 1 พิโกฟารัด ถึง 0.1 ไมโครฟารัด ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กทรอไลติก ตัวเก็บประจุชนิดนี้จะต้องระวังในการนำไปใช้งานด้วย ครับ เพราะมีขั้วที่แน่นอน พิมพ์ติดไว้ด้านข้างตัวถังอยู่แล้ว ครับ ถ้าป้อนแรงดันให้กับตัวเก็บประจุผิดขั้วละก็อาจเกิดความเสียหาย กับตัวมัน และอุปกรณ์ที่ประกอบร่วมกับตัวมันได้ครับ ขั้วของตัวเก็บประจุชนิดนี้สังเกตได้ง่ายๆ เมื่อตอนซื้อมา คือ ขาที่ยาว จะเป็นขั้วบวก และขาที่สั้นจะเป็นขั้วลบ ดังรูปที่ 7 ครับ

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กทรอไลติกและสัญลักษณ์ตัวเก็บประจุชนิดมีขั้ว
อีกอย่างที่ต้องระวัง คือการป้อนแรงดันให้ตัวเก็บประจุที่ข้างตัวเก็บประจุชนิดเล็กทรอไลติกนี้ จะมีอัตราทนแรงดัน พิมพ์ติดเอาไว้ด้วย มีหน่วยเป็นโวลต์ ( V) แต่บางตัวจะเป็น WV (Working Voltage) หมายถึงแรงดันที่ใช้งานนั่นเอง ในการใช้งานโดยทั่วไปจะเพิ่ม แรงดันของตัวเก็บประจุให้สูงกว่าแรงดันที่ใช้งานจริง ประมาณเท่าตัวส่วนค่าของ ตัวเก็บประจุชนิดนี้อยู่ในช่วง 0.1 ไมโครฟารัด ถึง 1 ฟารัด

โฟโตทรานซิสเตอร์

การจ่ายไบอัสให้โฟโตทรานซิสเตอร์เหมือนกับการจ่ายไบอัสให้ทรานซิสเตอร์ธรรมดา คือจ่ายไบอัสตรงให้ขา E จ่ายไบอัสกลับให้ขา C ส่วนขา B ไม่ถูกต่อออกมาใช้งานจึงไม่ต้องการไบอัสให้ ลักษณะการจ่ายไบอัสและการทำงานของโฟโตทรานซิสเตอร์ แสดงดังรูป
การจ่ายไบอัสและการทำงานของโฟโตทรานซิสเตอร์
จากรูป เป็นการจ่ายไบอัสและการทำงานของโฟโตทรานซิสเตอร์ โฟโตทรานซิสเตอร์เป็นชนิด NPN ดังนั้นไบอัสตรงให้ขา E คือ จ่ายแรงดันลบให้และจ่ายไบอัสกลับให้ขา C คือจ่ายแรงดันบวกให้ รูป (ก) เป็นขณะที่ยังไม่มีแสงส่องมากระทบรอยต่อ PN ที่ขา B และขา C แม้จะจ่ายไบอัสให้โฟโตทรานซิสเตอร์แล้วก็ตาม โฟโตทรานซิสเตอร์ยังไม่นำกระแส ไม่มีกระแสไหลในวงจร เพราะค่าความต้านทานระหว่างรอยต่อขา C และขา E สูงมาก มีเพียงกระแสรั่วไป ไหลผ่าน ( I CEO ) กระแสที่ไหลนี้เรียกว่า กระแสมือ ( Dark Current ) มีค่ากระแสเพียงนาโนแอมแปร์ ( nA ) มีค่ากระแสน้อยมากจนถือว่าโฟโตทรานซิสเตอร์ไม่นำกระแส
ส่วนรูป (ข) เป็นขณะที่มีแสงส่องมากระทบรอยต่อ PN ที่ขา B และขา C เกิดกระแสเบส ( I B ) ไหล โดยกำหนดให้ เป็นกระแสเบสที่ไหล เกิดขึ้นเนื่องจากแสงที่ส่องมากระทบรอยต่อ PN กระแส นี้ทำให้ค่าความต้านทานระหว่างรอยต่อขา C และขา E ลดลง เกิดกระแสคอลเลกเตอร์ ( I C ) ไหล ค่ากระแส I C หาได้สมการดังนี้
I ค่ากระแส I C ที่เกิดขึ้นในโฟโตทรานซิสเตอร์มีค่ามากหรือน้อย ขึ้นอยู่กับค่าความเข้มของแสงสว่างที่ส่องมากระทบรอยต่อ PN แสงมีความเข้มน้อยกระแส ไหลน้อย ทำให้กระแส I C ไหลน้อยและแสงมีความเข้มมาก กระแส
ไหลมาก ทำให้กระแส I C ไหลมาก ความเข้มของแสงที่ตกกระทบรอยต่อ PN วัดออกมามีหน่วยเป็นมิลลิวัตต์ต่อตารางเซนติเมตร ( mW/cm2 )
สภาวะการทำงานของโฟโตทรานซิสเตอร์ตามค่าความเข้มของแสงสว่างที่ส่องมากกระทบรอยต่อ PN เขียนเป็นกราฟคุรสมบัติทางเอาต์พุต

เจเฟท (J-FET)

ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์ หรือ เฟท เป็นทรานซิสเตอร์ชนิดพิเศษที่ทำงานแบบยูนิโพลาร์ (Uni-polar) ซึ่งต่างจากทรานซิสเตอร์ธรรมดาที่เป็นอุปกรณ์ไบโพลาร์ (Bi-polar) กระแสที่เกิดขึ้นของทรานซิสเตอร์ธรรมดาได้มาจากการทำงานโดยการแลกเปลี่ยนระหว่างโฮลกับอิเล็กตรอน ส่วนเฟททำงานโดยให้กระแสไหลทางเดียวเท่านั้นเอง เราจึงเรียกว่าเฟทเป็น อุปกรณ์ยูนิโพลาร์
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์เป็นที่นิยมแพร่หลายกันในปัจจุบันเนื่องจากว่าเฟทมีคุณสมบัติคล้ายกับหลอดสุญญากาศ คือ ทำงานโดยจะใช้แรงเคลื่อนไฟฟ้าทางอินพุทไปควบคุมกระแสทางด้านเอาท์พุท ผิดกับทรานซิสเตอร์ธรรมดาที่ใช้กระแสควบคุมกระแส ดังนั้นทรานซิสเตอร์จึงมีอินพุทอิมพีแดนซ์อยู่ในระดับกลางเท่านั้น ในขณะที่เฟทมีอินพุทอิมพีแดนซ์สูงมากทำให้มีข้อดีต่อวงจรขยายเสียงเป็นอย่างมาก วงจรขยายเสียงในปัจจุบันถ้าต้องการคุณภาพจึงหันมาเลือกใช้เฟท (FET)
การทำงานของ ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์หรือเฟท อาศัยหลักการเปลี่ยนแปลงสนามไฟฟ้า (Field) โดยใช้แรงเคลื่อนสนามไฟฟ้าเพียงเล็กน้อยเป็นตัวควบคุม สิ่งนี้เองที่ทำให้สิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำชนิดนี้ถูกเรียกว่า “ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์”
ฟิลด์เอฟเฟคทรานซิสเตอร์หรือเฟท สามารถแบ่งออกเป็น 2 ชนิดใหญ่ๆ คือ
1. เจเฟท (J-FET) เป็นทรานซิสเตอร์ที่ประกอบมาจากหัวต่อ P-N การทำงานของเฟทชนิดนี้จะใช้หลักการพองตัวของสนามไฟฟ้าในรูปของดีพลีชั่นตรงช่วงรอยต่อ พี-เอ็น
2. มอสเฟท (MOS-FET) เป็นเฟทที่มีโครงสร้างแตกต่างไปจากเจเฟท เพราะที่ขาเกตจะมีฉนวนกั้น การทำงานจะใช้การเหนี่ยวนำของสนามไฟฟ้าแทนที่จะใช้การพองตัวของดีพลีชั่นโดยตรง

ซีเนอร์ไดโอด

ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode) เป็นไดโอดชนิดพิเศษที่สร้างขึ้นมาเพื่อทำหน้าที่รักษาแรงดันให้คงที่ มีโครงสร้างเหมือนไดโอดธรรมดาทั่วๆ ไป แต่ไดโอดธรรมดาทั่วไปเมื่อทำการไบอัสกลับจนถึงค่าแรงดันเบรกดาวน์จะทำให้เกิดการเสียหายได้ ซีเนอร์ไดโอดเป็นไดโอดที่ผลิตจากสารซิลิกอนที่มีปริมาณความหนาแน่นของสารเจือปนในส่วนทั้งสองของสารพีและเอ็นมีค่าสูงกว่าปกติ ซึ่งคุณสมบัติดังกล่าวจะทำให้ค่าแรงดันเบรกดาวน์สูง และค่าแรงดันเบรกดาวน์หรือแรงดันซีเนอร์สามารถกำหนดได้ด้วยการควบคุมความหนาแน่นของสารเจือปนและเมื่อให้ไบอัสกลับจะสามารถทนกระแสย้อนกลับได้สูงโดยไดโอดไม่เสียหาย แรงดันที่ตกค่อมตัวซีเนอร์ไดโอดจะเป็นตัวควบคุมและรักษาแรงดันให้คงที่

หม้อแปลง

โครงสร้าง
หม้อแปลงแบ่งออกตามการใช้งานของระบบไฟฟ้ากำลังได้ 2 แบบคือ หม้อแปลงไฟฟ้าชนิด 1 เฟส และหม้อแปลงไฟฟ้าชนิด 3 เฟสแต่ละชนิดมีโครงสร้างสำคัญประกอบด้วย
ขดลวดตัวนำปฐมภูมิ (Primary Winding) ทำหน้าที่รับแรงเคลื่อนไฟฟ้า
ขดลวดทุติยภูมิ (Secondary Winding) ทำหน้าที่จ่ายแรงเคลื่อนไฟฟ้า
แผ่นแกนเหล็ก (Core) ทำหน้าที่เป็นทางเดินสนามแม่เหล็กไฟฟ้าและให้ขดลวดพันรอบแกนเหล็ก
ขั้วต่อสายไฟ (Terminal) ทำหน้าที่เป็นจุดต่อสายไฟกับขดลวด
แผ่นป้าย (Name Plate) ทำหน้าที่บอกรายละเอียดประจำตัวหม้อแปลง
อุปกรณ์ระบายความร้อน (Coolant) ทำหน้าที่ระบายความร้อนให้กับขดลวด เช่น อากาศ, พัดลม, น้ำมัน หรือใช้ทั้งพัดลมและน้ำมันช่วยระบายความร้อน เป็นต้น
โครง (Frame) หรือตัวถังของหม้อแปลง (Tank) ทำหน้าที่บรรจุขดลวด แกนเหล็กรวมทั้งการติดตั้งระบบระบายความร้อนให้กับหม้อแปลงขนาดใหญ่
สวิตช์และอุปกรณ์ควบคุม (Switch Controller) ทำหน้าที่ควบคุมการเปลี่ยนขนาดของแรงเคลื่อนไฟฟ้า และมีอุปกรณ์ป้องกันไฟฟ้าชนิดต่าง ๆ รวมอยู่ด้วย
วัสดุที่ใช้ทำขดลวดหม้อแปลงโดยทั่วไปทำมาจากสายทองแดงเคลือบน้ำยาฉนวน มีขนาดและลักษณะลวดเป็นทรงกลมหรือแบนขึ้นอยู่กับขนาดของหม้อแปลง ลวดเส้นโตจะมีความสามารถในการจ่ายกระแสได้มากกว่าลวดเส้นเล็ก
หม้อแปลงขนาดใหญ่มักใช้ลวดถักแบบตีเกลียวเพื่อเพิ่มพื้นที่สายตัวนำให้มีทางเดินของกระแสไฟมากขึ้น สายตัวนำที่ใช้พันขดลวดบนแกนเหล็กทั้งขดลวดปฐมภูมิและขดลวดทุติยภูมิอาจมีแทปแยก (Tap) เพื่อแบ่งขนาดแรงเคลื่อนไฟฟ้า (ในหม้อแปลงขนาดใหญ่จะใช้การเปลี่ยนแทปด้วยสวิตช์อัตโนมัติ)

( Unijunction Transistor )ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ UJT

ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ ( UJT )
ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ ( Unijunction Transistor ) หรือ UJT บางครั้งอาจเรียกว่า ไดโอดชนิดเบสคู่ ผลิตขึ้นมาและเริ่มรู้จักเมื่อปี พ. ศ. 2491 แต่ไม่ได้นำมาใช้งานอย่างแพร่หลาย จนกระทั่งปี พ. ศ. 2495 เริ่มนำมาใช้งาน UJT จะเป็นอุปกรณ์ที่ใช้งานทั่วไป ทนกำลังไฟฟ้าได้ต่ำ สามารถนำไปใช้งานได้มากมาย และนำไปใช้งานได้ดี การใช้งานจะต้องทำงานร่วมกับ SCR ไตรแอก และไดแอก UJT มีขาต่อออกมาใช้งาน 3 ขาคือ ขาเบส 1 ( Base 1 ) ขาเบส 2 ( Base 2 ) และขาอิมิตเตอร์ ( Emitter )
โครงสร้างและสัญลักษณ์ของยูเจที
ยูเจที (UJT) ย่อมาจาก” ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ Unijunction Transistor” เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีโครงสร้างเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด N แท่งหนึ่งแล้วทำการต่อขั้วเข้าที่ปลายของสารกึ่งตัวนำนั้น จากนั้นนำแท่งสารกึ่งตัวนำชนิด P มาต่อให้เกิดรอยต่อที่บริเวณตรงกลางแท่งสารกึ่งตัวนำชนิด N ค่อนไปทางด้านบนเล็กน้อย ดังรูปที่ 1 ตรงรอยต่อสารกึ่งตัวนำชนิด N และสารกึ่งตัวนำชนิด P จะเสมือนกับเป็นไดโอดตัวหนึ่งและต่อขาออกจากปลายทั้งสามดังรูปที่ 1 โดยขาที่ต่อออกจากสารกึ่งตัวนำชนิด P จะเป็นขาอิมิตเตอร์ ส่วนขาที่ต่อออกจากแท่งสารกึ่งตัวนำชนิด N ที่ใกล้กับสารกึ่งตัวนำชนิด P เรียกว่าขา B1 และขา B2

โครงสร้างและสัญลักษณ์ของซีเนอร์ไดโอด

โครงสร้างและสัญลักษณ์ของซีเนอร์ไดโอด
ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode) เป็นไดโอดชนิดพิเศษที่สร้างขึ้นมาเพื่อทำหน้าที่รักษาแรงดันให้คงที่ มีโครงสร้างเหมือนไดโอดธรรมดาทั่วๆ ไป แต่ไดโอดธรรมดาทั่วไปเมื่อทำการไบอัสกลับจนถึงค่าแรงดันเบรกดาวน์จะทำให้เกิดการเสียหายได้ ซีเนอร์ไดโอดเป็นไดโอดที่ผลิตจากสารซิลิกอนที่มีปริมาณความหนาแน่นของสารเจือปนในส่วนทั้งสองของสารพีและเอ็นมีค่าสูงกว่าปกติ ซึ่งคุณสมบัติดังกล่าวจะทำให้ค่าแรงดันเบรกดาวน์สูง และค่าแรงดันเบรกดาวน์หรือแรงดันซีเนอร์สามารถกำหนดได้ด้วยการควบคุมความหนาแน่นของสารเจือปนและเมื่อให้ไบอัสกลับจะสามารถทนกระแสย้อนกลับได้สูงโดยไดโอดไม่เสียหาย แรงดันที่ตกค่อมตัวซีเนอร์ไดโอดจะเป็นตัวควบคุมและรักษาแรงดันให้คงที่

คุณสมบัติของไทรแอก

คุณสมบัติของไทรแอก
คุณสมบัติของไทรแอกนั้นมีคุณสมบัติคล้ายกับเอสซีอาร์ตรงที่เมื่อนำกระแสแล้วก็จะนำกระแสตลอดไปเช่นกัน แต่ไทรแอกนั้นมีข้อแตกต่างตรงที่สามารถนำกระแสได้ 2 ทิศทาง ไม่ว่าจะเป็นการไหลของกระแสจาก A1 มายัง A2 หรือกระแสไหลจากไหลจาก A2 มายัง A1 ดังนั้นจึงนิยมใช้ไทรแอกในงานควบคุมกำลังไฟฟ้าที่ต้องการใช้งานทั้งไซเกิลบวกและลบ (ไฟสลับ)
จากคุณสมบัติที่กล่าวมาในเรื่องของการนำกระแสนั้น เราจึงสามารถแบ่งการทำงานของไทรแอก ออกเป็น 4 แบบหรือ 4 ควอทเดรนท์ ( Quadrant )

การทำงานของไดแอก

การทำงานของไดแอก
การทำงานของไดแอกนั้นจะอาศัยช่วงแรงดันพังทลาย ( Break Over Voltage ) เป็นส่วนของการทำงาน เมื่อป้อนแรงดันบวก ( + ) เข้าที่ขา A1 ละแรงดันลบ (-) เข้าที่ขา A2 รอยต่อN และ P ตรงบริเวณ A1 จะอยู่ในลักษณะไบอัสกลับ จึงไม่มีกระแสไหลจาก A1 ไปยัง A2 ได้ เมื่อเพิ่มแรงดันไบอัสดังกล่าวสูงขึ้นเรื่อยๆ จนถึงค่าแรงดันค่าหนึ่งจะทำให้กระแสสามารถไหลทะลุผ่านรอยต่อ N-P มาได้ ส่วนรอยต่อตรง A2 นั้นอยู่ในสภาวะไบอัสตรงอยู่แล้ว ดังนั้นกระแสที่ไหลผ่านไดแอกนี้จึงเสมือนกับเป็นกระแสที่เกิดจากการพังทลายของไดโอดและถ้าหากไม่มีการจำกัดกระแสแล้วแอกก็สามารถพังได้เช่นกัน ถ้าเราสลับขั้วศักย์แรงดัน A1 และ A2 การทำงานของไดแอกก็จะเป็นเช่นเดียวกับกรณีดังกล่าวที่ผ่านมา เขียนเป็นกราฟแสดงความสัมพันธ์ของแรงดันตกคร่อมตัวไดแอก และกระแสที่ไหลผ่านไดแอกได้

ไอซีตั้งเวลา 555

ไอซีตั้งเวลา 555 เป็นไอซีที่ทำหน้าที่กำเนิดสัญญาณตามเวลาที่ออกแบบไว้ โดยสามารถกำหนดได้ด้วยตัวอุปกรณ์ภายนอก ไอซีตั้งเวลา 555 สามารถกำเนิดสัญญาณ อะสเตเบิ้ล (Astable) โมโนสเตเบิล (Monostable) และประยุกต์ใช้งานด้านอื่นๆ ที่เกี่ยวกับการตั้งเวลาได้ดี
ไอซีตั้งเวลา 555 วงจรตั้งเวลาที่มีความเที่ยงตรงค่อนข้างสูง จำเป็นต้องใช้วงจรโมโนสเตเบิล ซึ่งส่วนมากนิยมใช้ไอซีเบอร์ 74121,74122,74123 อย่างไรก็ตาม การควบคุมการจุดชนวน(Trigger) ของสัญญาณอินพุตไอซีตระกูล 74 สามารถกระทำได้ยาก และมีเงื่อนไขมาก แต่ถ้าการหน่วงเวลานานกว่าครึ่งนาที และโหลดต้องการกระแสจะต้องใช้เวลาเบอร์ 555
ในการใช้งานของวงจรโมโนสเตเบิล (Monostable) จะแบ่งเป็น 2 สภาวะ คือสภาวะที่คงที่ และสภาวะที่ไม่คงที่ โดยปกติวงจรโมโนสเตเบิล จะอยู่ในสภาวะคงที่ จนกว่าจะมีสัญญาณจุดชนวนเข้ามากระตุ้น จากนั้นเอาท์พุตจะเปลี่ยนสภาวะจากเดิม เกิดการหน่วงเวลาด้วยค่าของเวลาที่แน่นอน และกลับเข้าสู่สภาวะปกติเช่นเดิม
ไอซีที่นิยมนำมาสร้างเป็นวงจรตั้งเวลาได้ดีที่สุดเบอร์หนึ่งคือ ไอซีเบอร์ 555 เพราะมีคุณสมบัติในการหน่วงเวลาที่ดี และนานพอสมควร

ส่งหุ่นยนต์ไปซ่อมฮับเบิล

จากอุบัติเหตุที่เกิดกับยานขนส่งอวกาศโคลัมเบียเมื่อต้นปีที่แล้ว ทำให้องค์การนาซายังไม่กล้าส่งมนุษย์อวกาศขึ้นไปปฏิบัติหน้าที่กับยานขนส่งอวกาศในช่วงนี้และอีกหลายปีต่อจากนี้ ภาวะชะงักงันเช่นนี้ย่อมก่อผลเสียในการสำรวจอวกาศ หนึ่งในภารกิจสำคัญที่ยานขนส่งอวกาศเคยทำมาก็คือ การซ่อมบำรุงกล้องโทรทรรศน์อวกาศฮับเบิล ซึ่งจะต้องมีขึ้นอีกในไม่ช้านี้ ขณะนี้กล้องฮับเบิลมีไจโรสโกปซึ่งเป็นอุปกรณ์ควบคุมระดับความสูงของกล้องที่ทำงานได้ 4 ตัวจากจำนวนทั้งหมด 6 ตัว กล้องฮับเบิลจะทำงานได้ตามปรกติก็ต่อเมื่อมีไจโรสโกป 3 ตัวขึ้นไป แต่ในไม่ช้าก็จะต้องทะยอยเสียไปทีละตัว คาดว่าไจโรสโกปจะเหลือทำงานได้เพียงสองตัวในปลายปี 2549
ในที่ประชุมสมาคมดาราศาสตร์อเมริกันที่เดนเวอร์เมื่อต้นเดือนที่ผ่านมา ชอน โอคีฟ ผู้บริหารขององค์การนาซาได้รายงานว่า นาซากำลังเสนอแผนเด็ดในการปฏิบัติการซ่อมบำรุงกล้องโทรทรรศน์อวกาศฮับเบิล นั่นคือ ใช้หุ่นยนต์ โดยวางเป้าหมายไว้สามระดับ ระดับความสำคัญสูงสุดคือ ในกรณีที่ฮับเบิลหมดทางซ่อม ปฏิบัติการนี้จะต้องสามารถดึงฮับเบิลให้ตกลงสู่พื้นโลกอย่างปลอดภัยไม่ให้ตกลงในเขตชุมชน อันดับสองคือให้สามารถเปลี่ยนไจโรสโกปและแบตเตอรี่ให้ฮับเบิลได้ อย่างนี้ก็จะยืดอายุให้ฮับเบิลออกไปได้อีก และอันดับสามคือ สามารถติดตั้งอุปกรณ์เพิ่มเติมความสามารถให้ฮับเบิลได้ ข้อเสนอนี้จะได้รู้ผลในกลางเดือนกรกฎาคมนี้

การทำงานของเครื่องยนต์

หวัดดีครับ ต้องขออภัยหน่อยนะครับ เพราะแว็ปของผมมีปัญหานิดหน่อยครับ แต่ตอนนี้ใช้ได้แล้วครับ วันนี้ผมมีความรู้เกี่ยวกับการทำงานของเครื่องยนต์ ที่คนส่วนใหญ่เขาเรียกว่า เครื่องยนต์หัวฉีด ครับ ผมมีการทำงานของเครื่องยนต์มาให้ดูด้วยนะครับ ดูรูปไป อ่านคำอธิบายไปนะครับ ซึ่งการทำงานของเครื่องยนต์ ที่ผมว่านี้มีการทำงานดังนี้ครับ คือว่าเครื่องยนต์นี้จะมีส่วนประกอบเหมือนกับเครื่องยนต์รุ่นเก่า ที่ใช้คาร์บูเรเตอร์ แต่จะแตกต่างกันตรงที่การจ่ายน้ำมันเชื้อเพลิง ที่ใช้หัวฉีด และควบคุมด้วยระบบอิเล็กทรอนิค ถ้าดูจากรูปการทำงาน จะเห็นว่า เมื่อลูกสูบเลื่อนต้วลง วาล์วไอดีที่อยู่ด้านซ้ายมือจะมีการเปิด แต่ก่อนวาล์วเปิด ลองสังเกตุดูที่ห้วฉีดด้านซ้าย หรือด้านเดียวกันกับวาล์วไอดี จะมีการฉีดน้ำมันเชื้อเพลิงก่อนที่วาล์วไอดีจะเปิด และเมื่อลูกสูบเลื่อนลงและดูดส่วนผสมน้ำมันเชื้อเพลิงและอากาศเข้ามาในกระบอกสูบ จนถึงด้านล่าง วาล์วไอดีก็จะปิด และหลังจากนั้น เมื่อลูกสูบเลื่อนขึ้น วาล์วไอดี (ด้านซ้าย ) วาล์วไอเสีย ( ด้านขวา ) จะปิดทั้งคู่และอัดส่วนผสมน้ำมันกับอากาศ จนเลื่อนขึ้นถึง ก่อนศูนย์ตายบน หัวเที่ยนจะมีการจ่ายไฟฟ้าแรงสูง คือ เกิดประกายไฟ และมีการจุดระเบิด จนดันลูกสูบ เลื่อนลง ซึ่งในช่วงเวลานี้จะได้กำลังงานออกมา จนถึงศูนย์ตายล่าง วาล์วไอเสียเริ่มเปิด และเมื่อลูกสูบเลื่อนตัวขึ้นวาล์วไอเสียเปิด เพื่อระบายไอเสียออกไปทางท่อร่วมไอเสีย ซึ่งจะมีการทำงานแบบนี้ วนเวียนไปเรื่อยๆ ตามรอบการทำงาน ผมคิดว่า ความรู้ที่ผมนำมาฝากคงพอที่จะช่วยให้พี่ๆ เพื่อนๆ ได้ความรู้ไปบ้าง ไม่มากก็น้อยนะครับ และถ้าผิดพลาดประการใด ทางกระผมต้องขอพระอภัยนะคร๊าบ แนะนำมาได้เด้อครับ วันนี้แค่นี้ก่อนนะครับ ขอให้มีความสุขนะครับ

การแต่งรถมอเตอร์ไซค์ผิดกฎหมายหรือไม่

แน่นอนว่าในปัจจุบันการแต่งรถมอเตอร์ไซค์กำลังได้รับความนิยมและระบาดไปทุกที่ทุกทาง เรียกได้ว่าซอยไหนไม่เจอ รถแต่งก็คงจะเฉยสุดๆ แต่การแต่งรถมอเตอร์ไซค์ก็แต่งแค่พองาม ไม่ใช่คิดอยากแต่งอะไรก็ทำไปเรื่อย โดยไม่รู้ว่าสิ่งนั้นผิดกฎหมายหรือไม่?....
ดังนั้นทางทีมงานได้เล็งเห็นความสำคัญตรงจุดนี้ จึงอยากจะขอเสนอว่า สิ่งไหนถูกต้องสิ่งไหนผิด เพื่อไม่ให้พวกเราแต่งรถคันโปรดโดยไม่รู้เรื่องอะไรเลย ซึ่งการแต่งรถมอเตอร์ไซค์ก็มีทั้งผิดและไม่ผิดและไม่ผิดกฎหมาย แต่ประเด็นหลักมันจะเป็น เรื่องของความปลอดภัยของตัวเอง และบุคคลที่ซ้อนท้ายรถคุณ หรือไม่ก็เพื่อนร่วมทางที่คุณอาจจะไปเฉี่ยวชนได้ทุกเวลามากกว่า
โดยผมก็จะเริ่มตั้งแต่ล้อหน้าไปจนถึงท้ายรถมอเตอร์ไซค์กันเลยว่าสิ่งใดที่ผิด หรือไม่ผิดกันบ้าง เริ่มจากจานดิสก์เบรกหน้าที่ขาแต่ง ทั้งหลายชอบไปเจาะรูจานดิสก์เหลือหน้าสัมผัสอยู่เพียงนิดนิด หรือไม่ก็ไปจับเอาจานดิสก์ที่มีรูปทรงต่างๆ ไม่ว่าจะเป็นลายดอกไม้หรือว่าลายอะไรก็ตาม สิ่งเหล่านี้ไม่ผิดหวังหรอกครับ แต่มันเป็นเรื่องของความปลอดภัยมากกว่า เพราะเมื่อหน้าสัมผัสมีน้อยลงประสิทธิในการเบรกก็จะมีน้อยตามไปด้วย ถ้าหากคุณขับขี่ตามคันหน้าอยู่ดีๆ เกิดเขาเบรกกะทันหันคุณคิดว่าคุณจะเบรกอยู่หรือไม่ สำหรับผมคิดว่าเบรกไม่อยู่แน่นอน แล้วผมมันจะเป็นอย่างไรต่อไป...คุณไปคิดดูเอาเองแล้วกัน
ต่อมาก็เป็นวงล้อสีต่างๆ ไม่ว่าจะเป็น ล้อ Akront, D.I.D, Compstar หรือล้ออลูมิเนียมต่างๆ สิ่งเหล่านี้ไม่ผิดหรอกครับ แต่มันก็เป็นเรื่องของความปลอดภัยอีกเหมือนกัน เพราะถ้ามันเป็นของแท้แน่นอนมันต้องทนใช้ได้ และถ้าเกิดไม่ใช่ของแท้ล่ะ หรือไปใช้ของที่มีคุณภาพต่ำ ผมเชื่อเหลือเกินว่าคุณตกหลุมจังๆ สักครั้งสองครั้งล้อคุณดุ้งแน่ๆ และมันจะพาลให้คุณล้ม เป็นหมูแดงอีกด้วย เรียกได้ว่าเจ็บแล้วแถม ต้องมาเสียเงินซื้อใหม่อีก คิดแล้วมันเศร้า...
ส่วนเช็คหน้าที่ขาแต่งชอบทำทรง DIO ZX มันก็ไม่ผิดอะไร แต่ถ้าเมื่อใดถ้าคุณไปทำการตัดโช้คหรือโหลดโช้คลง แน่นอนว่าสิ่งนี้ผิด กฎหมายแบบเต็มๆ ชัวร์ ส่วนที่เหลือไม่ว่าจะเป็นปะกับคันเร่ง, มือเบรก, กระจกมองหลัง สิ่งเหล่านี้ก็ไม่ผิดอะไรแต่มันเป็นเรื่องของกระเป๋าสตางค์ของคุณเองมากกว่า
ส่วนแผ่นป้ายทะเบียนอันนี้แน่นอนเลย ว่าถ้าคุณไปตัดทะเบียนไม่ว่าจะด้วยเหตุผลใดๆ ก็ตาม ผิดกฎหมายแน่นอน “อย่าเอาแต่สวยเข้าว่า” เพราะฉะนั้นถ้าจะไม่ให้ผิดคุณก็ควรไปหากรอบ ทะเบียนที่มีขายอยู่ตามร้านขายอะไหล่ทั่วไป มาใส่แทนเพียงเท่านี้คุณก็ไม่ถูกตำรวจ ท่านเรียกจับแล้ว และอีกสิ่งหนึ่งที่ผิดกฎหมายอย่างแน่นอนคือ ท่อไอเสียที่ขาแต่งทั้งหลายชอบเอาท่อทีไม่ มอก. และให้เสียงดังมาใส่ หรือไม่ก็เอาท่อเดิมที่มี มอก. มาทำการเอาไส้กรองเสียงออกเพราะกฎหมายกำหนดไว้ว่าท่อไอเสียต้องดังไม่เกิน 95 เดซิเบล ส่วนพวกที่ชอบโชว์คาร์บูเรเตอร์ออกมาข้างนอกแล้วเจาะแฟริ่ง แน่นอนว่าสิ่งนี้ก็ผิดเพราะถือว่าเป็นการดัดแปลงสภาพรถ ที่สำคัญทาง พ.ต.ต. สราวุธ จินดาคำ สารวัตรจราจร สถานีตำรวจนครบาลลาดพร้าว ยังกล่าวเสริมในเรื่องท่อไอเสียสำหรับ พวกที่นำท่อไม่มี มอก. มาใช้หรือพวกที่ชอบเอาท่อเดิมที่มี มอก. แต่ทำการดัดแปลงท่อโดยเอาไส้กรองออก “สิ่งนี้ผิดกฎหมาย และยังสร้างความรำคาญให้แก่ชาวบ้าน ถ้าทางตำรวจเจอก็ต้องทำการจับแน่”...
สิ่งต่างๆ เหล่านี้ถ้าจะให้ดีเลยคุณขับรถมอเตอร์ไซค์ สแตนดาร์ดแบบเดิมๆ ผมว่ามันจะเป็นการดี และไม่ต้องคอยกังวลว่า เวลาขับรถมอเตอร์ไซค์คันเก่งไปไหนแล้วจะโดนตำรวจจับหรือเปล่าด้วย...สบายใจกว่าเยอะครับ

การโมกล่องไฟ

Modify Speed Control จีนกันเถอะ ...
การโมก็ไม่มีอะไรมากครับ แค่บัดกรีเป็นก็สามารถทำได้แล้ว
โมเสร็จแล้วจะได้แบบนี้
ถอดกล่องสปีดออกมาก้จะเจอกับแผงวงจร
จากนั้นค่อยๆ ถอด Mosfet ออกทีละตัวๆ จนหมดทั้ง 4 ตัว
ด้านหลังแผงวงจรแบบเต็มๆ หลังถอด Mosfet ชุดเดิมออกแล้ว
ด้านบนแผงวงจรแบบเต็มๆ ทั้ง 2 ด้านไม่ต้องทำการตัดต่อวงจรใดๆ ทั้งสิ้น
ค่อยๆ ใส่ Mosfet ชุดใหม่เข้าไปทีละตัวๆ จนครบทั้ง 6 ตัว ระวังอย่าให้ขาช๊อตกันMosfet ที่เพิ่มเข้าไป 2 ตัว จะไปขนานกับตัวเดินหน้าของเดิมทำให้ Ron ลดลง กระแสไหลได้ดีขึ้น
หลังจากใส่ Mosfet ชุดใหม่แล้ว
ทดสอบแล้ว ร้อนน้อยกว่าแบบเดิมที่ยังไม่ได้โม
Mosfet ที่ติดมากับสปีดจีน IRL3803Mosfet ใหม่ที่เปลี่ยนเข้าไป IRF3703,IRF2804
ค่า Ron ยิ่งน้อยยิ่งดี ฉะนั้นถ้าหาเบอร์ที่ดีกว่าของเดิมไม่ได้ไม่แนะนำให้เปลี่ยนเวลาเปลี่ยน ควรเปลี่ยนยกชุด โดยใช้เบอร์เดียวกันทั้งหมด ถ้าคนละเบอร์ ตัวที่ดีกว่าจะทำงานเพียงตัวเดียว แล้วอาจไหม้ได้ !!แล้วจะหา Mosfet แรงๆ ได้จากที่ไหน - โมแล้วรับมอเตอร์แรงขึ้นได้จริงหรือเปล่า ?ลองดูจากสปีด 9Turbo ละกันครับ แค่เปลี่ยน Mosfet เบอร์ IRL3716 เป็น IRF2804 ก็รับมอเตอร์ได้มากขึ้นจาก 11T เป็น 6T โดยที่ไม่ได้เปลี่ยนแปลงวงจรใดๆบอกว่า โมแล้วแรงขึ้น 6 เท่าละกัน อิอิ เห็นเมื่อก่อนชอบบอก โมแล้วแรงขึ้นกี่เท่าๆ
*** สปีดจีนติดรถ Speed Force Giant , TC-03 , Bronzer มาจากโรงงานเดียวกัน โมได้เหมือนกัน*** สปีดแท้ Futaba MC230 , MC330 เปลี่ยนเฉยๆไม่ได้ครับ เล่นแล้วมันจะตัด

ถ้าโทรศัพท์มือถือของคุณตกน้ำจะทำอย่างไร
1. หลังจากนำเครื่องขึ้นจากน้ำแล้ว ห้าม! กดปุ่ม power เปิดเครื่องเด็ดขาด ถ้าเปิดจะเกิดการลัดวงจรขนานใหญ่ ให้ถอดแบตเตอรี่ออกด่วนที่สุด
2. หาผ้าเช็ดให้แห้ง ทั้งด้านนอกตัวเครื่องและแบตเตอรี่ พร้อมทั้งสำรวจว่า มีน้ำเข้าส่วนไหนบ้าง
3. หาถุงพลาสติกใส่เครื่องไว้แล้วรัดยางปิดถุง ไม่ต้องรัดเครื่อง
4. ห้าม! ใช้ไดร์เป่าผมเป่าให้แห้งเด็ดขาด เพราะอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทั้งหลายเกลียดและกลัวความร้อนที่สุด
5. ถึงบ้านแล้ว หาถุงผ้าหรือผ้าบางๆ ห่อเครื่องไว้ อย่าลืมเปิดฝาหลังที่ครอบแบตเตอรี่ด้วย (ถ้ามี) หลังจากห่อดีแล้ว รัดยางเอาไปฝังไว้ในถังข้าวสาร 24 ชม.
6. หลังจากนั้น 1-2 วัน ก็เอาออกจากถึงข้าวสาร แล้วนำไปใส่แบตเตอรี่
เพียงแค่นี้คุณก็ได้โทรศัพท์กลับมาใช้เหมือนเดิมแล้ว

1. โครงสร้างพื้นฐานของอะตอม สสารต่างๆ ที่เราพบอยู่ทั่วไปนั้น ถ้าพิจารณาลงไปถึงส่วนประกอบขนาดเล็กที่ประกอบกันเป็นสสารนั้นแล้ว จะพบว่าประกอบด้วยโมเลกุล ซึ่งโมเลกุลเป็นส่วนประกอบที่เล็กที่สุดของสารและยังแสดงสมบัติของธาตุนั้นอยู่ได้ ในแต่โมเลกุลจะประกอบด้วยส่วนที่เล็กลงไปอีกเรียกว่าอะตอม จากการทดลองของนักวิทยาศาสตร์ทำให้ทราบว่าอะตอมประกอบด้วยนิวเคลียสที่อยู่เป็นแกนกลางของอะตอม และมีอิเล็กตรอนโคจรรอบนิวเคลียสนั้น ภายในนิวเคลียสยังประกอบไปด้วยอนุภาคของโปรตรอนและนิวตรอนอยู่รวมกัน อิเล็กตรอนที่โคจรอยู่รอบนิวเคลียสนั้นเป็นลบ ส่วนโปรตรอนมีประจุเป็นบวก นิวตรอนที่อยู่ในนิวเคลียสมีประจุเป็นกลางทางไฟฟ้า โดยปกติแล้วอะตอมของธาตุต่างๆ จะเป็นกลางทางไฟฟ้า ในธาตุเดียวกันอะตอมของธาตุนั้นจะมีจำนวนโปรตรอนและอิเล็กตรอนเท่ากัน สารกึ่งตัวนำความหมายของสารกึ่งตัวนำสารกึ่งตัวนำ คือ สารที่มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าระหว่างตัวนำและฉนวน เช่น ซิลิคอนและเยอรมาเนียม ประเภทของสารกึ่งตัวนำ1. สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์เราลองมาพิจารณาโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำที่บริสุทธิ์ โดยในที่นี้ขอยกตัวอย่าง ซิลิคอน จะพบว่า เวเลนซ์อิเล็กตรอนของแต่ละอะตอมจะมีพันธะกับเวเลนซ์อิเล็กตรอนของอะตอมข้างเคียง จึงไม่มีอิเล็กตรอนอิสระที่จะทำให้เกิดการนำไฟฟ้าได้ (การนำไฟฟ้าเกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระ) แต่เมื่ออุณหภูมิสิ่งแวดล้อมสูงเกินกว่า ศูนย์องศาสัมบูรณ์ (absolute zero) ถ้าเราผ่านสนามไฟฟ้าที่มีความเข้มมากพอเข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนบางตัวในพันธะหลุดออกมากลายเป็นอิเล็กตรอนอิสระ และเกิดที่ว่างขึ้น เรียกว่า โฮล โดยแรงเนื่องจากสนามไฟฟ้าจะทำให้อิเล็กตรอนอิสระและโฮลเคลื่อนที่ โดยอิเล็กตรอนอิสระจะเคลื่อนที่ในทิศตรงข้ามกับสนามไฟฟ้า ส่วนโฮลจะเคลื่อนที่ในทิศเดียวกับสนามไฟฟ้า ดังรูปด้านล่าง จึงทำให้เกิดการนำไฟฟ้าขึ้น ดังนั้นจึงสรุปได้ว่า การนำไฟฟ้าในสารกึ่งตัวนำ เกิดจากการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระและโฮล นั่นเอง2. สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์เนื่องจากจำนวนอิเล็กตรอนอิสระในสารกึ่งตัวนำนั้นมีอยู่น้อย กระแสที่ไหลได้จึงมีน้อย ทำให้ไม่สามารถนำไปใช้ประโยชน์ได้มากนัก จึงต้องมีการปรุงแต่งโดยนำเอาอะตอมของธาตุอื่นเจือปนเข้าไป ทำให้กลายเป็น สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ ซึ่งจะสามารถนำไฟฟ้าได้ดีขึ้นสารที่นำมาใช้เจือปนนี้สามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภท ได้แก่1. สารเจือปนโดเนอร์ (Donor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 5 ตัว (Pentavalent impurities) เช่น พลวง สารหนู หรือ ฟอสฟอรัส ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้เกิดอิเล็กตรอนอิสระขึ้นในสารกึ่งตัวนำ2. สารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ (Acceptor impurity)คือ ธาตุที่มีอิเล็กตรอนวงนอก 3 ตัว (Trivalent impurities) เช่น โบรอน อลูมิเนียม หรือ แกล-เลี่ยม ซึ่งเมื่อเจือปนสารประเภทนี้เข้าไป จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว เกิดเป็นช่องว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole)ดังนั้นสารกึ่งตัวนำที่ไม่บริสุทธิ์ จึงแบ่งออกเป็น 2 ประเภทเช่นกัน คือ 1. สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น (N - Type) เกิดจากการนำสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ผสมกับสารเจือปนโดเนอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ ทำให้สารกึ่งตัวนำมีอิเล็กตรอนเกินมา 1 ตัว เรียกว่า อิเล็กตรอนอิสระ ซึ่งจะสามารถเคลื่อนที่ได้อย่างอิสระในผลึกนั้น จึงยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลได้ 2. สารกึ่งตัวนำชนิดพี (P - Type) เกิดจากการเอาสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ ผสมกับสารเจือปนแอคแซ็ปเตอร์ ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ จะทำให้อิเล็กตรอนของสารกึ่งตัวนำหายไป 1 ตัว ทำให้เกิดที่ว่างขึ้นในอะตอมของสารกึ่งตัวนำ เรียกว่า โฮล (Hole) เป็นผลทำให้ มีอิเล็กตรอนน้อยกว่าประจุบวก ดังนั้น สารกึ่งตัวนำชนิดพี จึงมีประจุเป็นบวก
ไดโอด (Diode) เป็นการนำสารกึ่งตัวนำชนิดพีและสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น มาทำการต่อให้ติดกันตามหลักของวิชาฟิสิกส์ของแข็ง โดยไดโอดจะมีความต้านทานต่ำมาก และยอมให้กระแสไหลผ่านได้ เมื่อต่อให้ศักย์ไฟฟ้าที่ปลายพีสูงกว่าศักย์ไฟฟ้าที่ปลายเอ็น (ต่อปลายพีเข้ากับขั้วบวกและต่อปลายเอ็นเข้ากับขั้วลบ) หรือที่เรียกว่า ไบแอสตรง นั่นเอง แต่ถ้าเราต่อให้ที่ปลายพีมีศักย์ไฟฟ้าต่ำกว่าปลายเอ็น (ไบแอสกลับ) ไดโอดจะมีความต้านทานสูงมาก และไม่ยอมให้กระแสไหลผ่าน


สัญญลักษณ์ไดโอด


ไดโอดที่ใช้ในวงจรมีสัญญลักษณ์ เป็นรูปลูกศรมีขีดขวางไว้ดังรูป

ตัวลูกศรเป็นสัญญลักษณ์แทนสารกึ่งตัวนำชนิด P ซึ่งเป็นขั้วอาโนด (ขั้วบวก) ของไดโอด ลูกศรจะชี้ในทิศทางที่โฮลเคลื่อนที่ ส่วนขีดคั่นเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด N ซึ่งเป็นขั้วคาโถด (ขั้วลบ) ดังนั้นเราจะสามารถพิจารณาว่า ไดโอดถูกไบแอสตรงหรือไบแอสกลับได้ง่าย ๆ โดยพิจารณาดูว่าถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกมากกว่าราคาโถดแล้ว ไดโอดจะถูกไบแอสตรง ถ้าขั้วอาโนดมีศักดาไฟฟ้าเป็นบวกน้อยกว่า คาโถดก็แสดงว่าไดโอดถูกไบแอสกลับ


การไบอัสตรง คือต้องจ่ายแรงดันให้ตรงตามชนิดของสารกึ่งตัวนำที่ต่อ ถ้าเป็นสารชนิด P แรงดันไบอัสตรงคือศักย์บวก (+) ถ้าเป็นชนิด N แรงดันไบอัสตรงคือศักย์ลบ



การไบอัสกลับ จะขยายกว้างขึ้น แต่ก็ยังมีพาหะข้างน้อยแพร่กระจายที่รอยต่ออยู่จำนวนหนึ่ง แต่ก็ยังมีกระแสรั่วไหลอยู่จำนวนหนึ่ง เรียกว่า กระแสรั่วไหล เมื่อเพิ่มแรงดันไฟฟ้าขึ้นเรื่อยๆ กระแสรั่วไหลจะเพิ่มขึ้นจนถึงจุดทีไดโอดนำกระแสเพิ่มขึ้นมาก ระดับกระแสที่จุดนี้ เรียกว่า "กระแสอิ่มตัวย้อนกลับ แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้ เรียกว่า แรงดันพังทลาย และถ้าแรงดันไบกลับสูงขึ้นจนถึงจุดสูงสุดที่ไดโอดทนได้ เราเรียกว่า "แรงดันพังทลายซีเนอร์ ถ้าแรงดันไบอัสกลับสูงกว่า Vz จะเกิดความร้อนอย่างมากที่รอยต่อของไดโอด ส่งผลให้ไดโอดเสียหายหรือพังได้ แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้เราเรียกว่า แรงดันพังทลายอวาแลนซ์ ดังนั้น การนำไดโอดไปใช้งานจึงใช้กับการไบอัสตรงเท่านั้น


ลักษณะสมบัติของไดโอด
แม้ว่าไดโอดในอุดมคติจะมีลักษณะคล้ายดังสวิตซ์ทางไฟฟ้า คือเมื่อเราให้ไบอัสตรงจะเหมือนกับสวิตซ์ปิดวงจร ( ON ) แต่ถ้าให้ไบอัสกลับจะเหมือนกับสวิตซ์เปิดวงจร ( OFF ) ซึ่งไดโอดเมื่อได้ไบอัสตรงจะมีกระแสไหลผ่านไดโอดได้สูง และมีแรงดันตกคร่อมไดโอดอยู่เล็กน้อยประมาณ 0.2 หรือ 0.6 โวลต์ ส่วนขณะที่ไบอัสกลับจะมีกระแสไหลผ่านน้อยมากเพียงไม่กี่ไมโครแอมป์ แสดงดังกราฟรูปที่ 12




การทดสอบไดโอดด้วยโอห์มมิเตอร์
การตรวจหาขาของไดโอดหรือการตรวจสอบว่าไดโอดนั้นใช้งานได้หรือไม่ ทำได้อย่างง่ายโดยการใช้โอห์มิเตอร์ เนื่องจากไดโอดนั้นเมื่อได้รับแรงไฟไบอัสตรงจะยอมให้กระแสไหลผ่าน แสดงว่าค่าความต้านทานของไดโอดมีค่าต่ำ ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานนี้เรียกว่า ความต้านทานด้านไบอัสตรง ปกติมีค่าประมาณ 70 ) แต่เมื่อไดโอดได้รับแรงไฟไบอัสกลับจะไม่มีกระแสไหลผ่านไดโอดเหมือนกับว่าความต้านทานของไดโอดมีค่าสูงมาก ( โดยทั่วไปค่าความต้านทานของไดโอดเมื่อได้รับไบอัสกลับ จะมีค่าอยู่ระหว่าง 500 K ถึง
การทดสอบไดโอดด้วยมัลติมิเตอร์แบบแอนะลอก กระทำได้โดยการตั้งย่านวัดความต้านทานในย่าน R x 10 เพื่อวัดความต้านทานไบอัสตรง โดยต่อขั้วไฟบวก ( มิเตอร์ตระกูล Sanwa ไฟบวกจะออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด และต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถด จะเห็นว่าเข็มของมิเตอร์ชี้ไปที่ค่าความต้านทานต่ำประมาณ 70 จากนั้นให้ปรับย่านวัดไปย่าน R x 10K เพื่อวัดความต้านทานไบอัสกลับของไดโอด โดยต่อขั้วมัลติมิเตอร์กลับจากเดิม คือ ต่อไฟบวกของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแคโถดและต่อขั้วไฟลบของมัลติมิเตอร์เข้ากับขาแอโนด เข็มมัลติมิเตอร์จะชี้ที่ค่าความต้านทานสูงมาก ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิก ) หรือค่าอนันต์ ( Infinity , ) ในไดโอดชนิดซิลิกอน และประมาณ 500 K ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
การทดสอบไดโอดด้วยมัลติมิเตอร์แบบดิจิตอล ให้ตั้งย่านวัดไดโอด โดยวัดขั้วทั้งสองของไดโอดด้วยไบอัสตรง คือ ให้ขั้วไฟลบ ( มิเตอร์ดิจิตอล ขั้วไฟลบออกจากขั้วลบของมิเตอร์ ) ของมิเตอร์ต่อกับแคโถดและขั้วไฟบวกของมิเตอร์ต่อกับขาแอโนด มิเตอร์จะแสดงค่าแรงดันตกคร่อมรอยต่อของไดโอด ( แรงดันคัทอิน ) โดยแสดงค่าแรงดัน 0.6 ในไดโอดชนิดซิลิกอนและแสดงค่า 0.2 ในไดโอดชนิดเยอรมันเนียม
การตรวจเช็คไดโอด จะมีพิจารณากันอยู่ 3 ลักษณะ คือ
1. ไดโอดขาด ( Open ) หมายถึง รอยต่อระหว่างสารพี-เอ็นเปิดออกจากกัน ทำให้ไดโอดไม่สามารถนำกระแสได้ ทั้งในกรณีไบอัสตรงและไบอัสกลับ ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิกทั้งสองครั้ง )
2. ไดโอดลัดวงจร ( Shot ) หมายถึง รอยต่อระหว่างสารพี-เอ็นเกิดการพังทลายเข้าหากัน ไดโอดจะนำกระแสทั้งในกรณีไบอัสตรงและไบอัสกลับ ( เข็มมิเตอร์ขึ้นทั้งสองครั้ง )
3. ไดโอดรั่วไหล ( Leakage ) หมายถึง การวัดไดโอดในลักษณะไบอัสกลับ โดยใช้ค่าแรงดันจากโอห์มมิเตอร์ซึ่งมีค่าแรงดันต่ำกว่าค่าแรงดันพังทลายของไดโอด ก็มีกระแสไหลแล้ว ไดโอดชนิดเยอรมันเนียมเมื่อถูกไบอัสกลับจะมีค่าความต้านทานประมาณ 400 K - 500 K ซึ่งมีกระแสรั่วไหลมากกว่าไดโอดชนิดซิลิกอน โดยไดโอดชนิดซิลิกอนเมื่อถูกไบอัสกลับจะมีค่าความต้านทานเป็นอนันต์ ( เข็มมิเตอร์ไม่กระดิก )

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

ทรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์มีวิธีการผลิตหลายวิธีด้วยกัน แต่แยกออกไก้เป็น 2 ลักษณะ คือ โครงสร้างเป็นแบบจุดสัมผัส และโครงสร้างแบบรอยต่อ ทั้งสองลักษณะสามารถแยกออกเป็นวิธีการผลิตได้หลายวิธีด้วยกัน ไม่ว่าจะใช้วิธีใดในการผลิตทรานซิสเตอร์ก็ตาม สามารถผลิตทรานซิสเตอร์ได้ 2 ชนิด คือ PNP และ NPN เมื่อเขียนเป็นสัญลักษณ์ออกมาจะแตกต่างกัน วิธีดูชนิดของทรานซิสเตอร์จากสัญลักษณ์ ให้สังเกตที่ทิศทางการชี้หัวลูกศรที่ขาอิมิตเตอร์ (E) ว่าชี้เข้าหรือชี้ออก โดยใช้หลักการจำทิศทางของหัวลูกศรดังนี้ บวกเข้าลบออก คือ บวก (P) หัวลูกศรชี้เข้าเป็น PNP ทรานซิสเตอร์ และลบ (N) หัวลูกศรชี้ออกเป็น NPN ทรานซิสเตอร์
แรงดันไบอัสที่ทรานซิสเตอร์ต้องการ ต้องจ่ายให้ถูกต้องตามชนิดของทรานซิสเตอร์ วิธีการจ่ายแรงดันไบอัสที่ถูกต้องให้ทั้งสองชนิด มีเพียงวิธีเดียวดังนี้
• จ่ายแรงดันไบอัสตรงให้ขา E กับขา B เป็นไบอัสตรงทั้งสองขา
• จ่ายแรงดันไบอัสกลับให้ขา C เทียบกับขา B หรือขา E
• การจ่ายไบอัสผิดเพียงขาใดขาหนึ่งทรานซิสเตอร์จะไม่ทำงาน
กระแสไฟฟ้าที่ไหลในตัวทรานซิสเตอร์มีค่ากระแสโดยประมาณดังนี้
I E = 100 % , I C = 95-98 % , I B = 2-5 %
นำมาเขียนเป็นสมการกระแสได้ดังนี้
I E = I C + I B
เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์
window.google_render_ad();
ทรานซิสเตอร์ ( Transistor ) ถูกผลิตขึ้นมาได้เมื่อวันที่ 23 ธันวาคม พ.ศ. 2490 โดยวอลเตอร์ เอช แบรตเทน ( Walter H.Brattain ) และจอห์น บาร์ดีน ( John Bardeen ) ผลิตขึ้นได้ในห้องทดลองของบริษัทเบลล์ เทเลโฟน ( Bell Telephone Laboratories )
ทรานซิสเตอร์ตัวแรกผลิตขึ้นจากสารกึ่งตัวนำชนิดเจอร์เมเนียม ( Germanium Semiconductor ) เป็นทรานซิสเตอร์แบบจุดสัมผัส ( Point Contact Transistor ) โดยยอดแหลมของเจอร์เมเนียมถูกเชื่อติดอยู่กับแผ่นโลหะ ซึ่งมีเส้นลวดพันติดอยู่ประมาณ 2,000 เส้นต่อนิ้ว บรรจุอยู่ในกระป๋องโลหะทรงกลมยาวประมาณ 0.5 นิ้ว มีเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 0.1875 นิ้ว
ทรานซิสเตอร์มีข้อดีกว่าหลอดสุญญากาศหลายประการด้วยกัน สรุปเป็นข้อ ๆ ได้ดังนี้
• ราคาของอุปกรณ์ถูกกว่า
• แก้ไขซ่อมแซมได้ง่ายกว่า
• มีประสิทธิภาพในการทำงานสูง
• ใช้แรงดันไฟฟ้าในการทำงานต่ำ
• ขนาดเล็กกะทัดรัด น้ำหนักเบา
• สูญเสียกำลังไฟฟ้าในการทำงานต่ำ
• ทำงานได้รวดเร็ว ไม่ต้องใช้เวลาในการเตรียมตัว
• มีความทนทานในการใช้งาน และทนทานจากการกระทบกระแทกมากกว่า
• ไม่ต้องใช้ความร้อนในการทำงาน และไม่เกิดการสูญเสียความร้อน
window.google_render_ad();